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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        金剛石基GaN HEMT技術(shù)發(fā)展現狀和趨勢
        
						
        趙金霞  中國電子科技集團公司第十三研究所; 石家莊050051
        

					
        
					
        摘要：采用金剛石襯底可顯著(zhù)提升GaN微波功率器件的散熱能力,從而制作尺寸更小、功率更高的金剛石基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)器件。介紹了金剛石基GaN HEMT技術(shù)優(yōu)勢。綜述了金剛石基GaN HEMT的金剛石襯底生長(cháng)、金剛石與GaN HEMT層結合、金剛石/GaN界面優(yōu)化等制造技術(shù)的研發(fā)現狀,并概述了金剛石基GaN微波功率器件的最新研究進(jìn)展。最后分析了金剛石基GaN HEMT制造技術(shù)面臨的挑戰和未來(lái)的發(fā)展趨勢,表明制作低成本大尺寸金剛石襯底材料、提升GaN/金剛石界面熱阻以及大幅提升金剛石基GaN器件的性能并在射頻功率器件領(lǐng)域實(shí)現商用將是未來(lái)發(fā)展的重點(diǎn)。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系半導體技術(shù)雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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