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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        基于InGaAs蓋革模式APD探測器的主動(dòng)淬滅電路設計
        
						
        楊赟秀; 袁菲; 路小龍; 景立; 鄧世杰; 咼長(cháng)冬; 宋海智; 張偉  西南技術(shù)物理研究所; 成都610041
        

					
        
					
        摘要：蓋革模式(GM)雪崩光電二極管(APD)探測器具有單光子級探測靈敏度,可廣泛用于三維成像和測量測繪等領(lǐng)域。針對InGaAs基GM-APD,提出一種用于自由模式探測的主動(dòng)淬滅電路。該電路采用電容積分方式將雪崩電流轉換為電壓信號,利用反相器對其進(jìn)行檢測與提取,同時(shí)經(jīng)淬滅支路將雪崩快速淬滅,一定延時(shí)后恢復支路使APD重新進(jìn)入蓋革狀態(tài);采用施密特觸發(fā)器以增強淬滅支路的抗干擾能力,防止蓋革恢復過(guò)程中導致淬滅控制信號的振蕩;利用RC延遲電路實(shí)現探測器死時(shí)間可調?；赟MIC 0.18μm標準CMOS工藝對設計的主動(dòng)淬滅電路進(jìn)行了流片,電路芯片與GM-APD互連測試結果表明,該電路可實(shí)現對GM-APD的快速淬滅與恢復,淬滅時(shí)間約為887 ps,恢復時(shí)間約為325 ps,最小死時(shí)間約為29.8 ns,滿(mǎn)足多回波探測應用要求。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系半導體技術(shù)雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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