<sub id="n0hly"></sub>
<sub id="n0hly"></sub>

      <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>

      3. <address id="n0hly"></address>
      3. 
	
        

		
		

	
        
				
			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        SiC MOSFET的短路特性
        
						
        高勇; 喬小可; 孟昭亮; 楊媛  西安工程大學(xué)電子信息學(xué)院; 西安710048; 西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院; 西安710048
        

					
        
					
        摘要：以SiC MOSFET為代表的功率器件的驅動(dòng)及保護技術(shù)長(cháng)期被國外壟斷,國內對SiC MOSFET的驅動(dòng)保護技術(shù)研究較少。SiC MOSFET柵極氧化層薄、短路耐量小,由于高頻開(kāi)關(guān)特性,其對回路寄生參數的影響更加敏感,橋臂結構應用時(shí)更易因串擾而引起誤導通,因此快速檢測并可靠關(guān)斷的短路保護技術(shù)顯得尤為重要。設計了基于FPGA的數字式SiC MOSFET驅動(dòng)保護電路,實(shí)現了短路保護盲區時(shí)間易于調整。搭建了第一類(lèi)短路測試平臺并對SiC MOSFET進(jìn)行了短路測試,分析了漏源極電壓退飽和保護及短路測試平臺原理,在此基礎上研究了柵極電阻、柵源極電壓等外部參數對SiC MOSFET短路特性的影響,為SiC MOSFET器件的應用及驅動(dòng)器的設計提供了一定的指導。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系半導體技術(shù)雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


亚欧成人中文字幕一区-日韩影音先锋AV乱伦小说-成人精品久久一区二区-成人美女视频在线观看

        <sub id="n0hly"></sub>
        <sub id="n0hly"></sub>
        

          <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>
          3. 

          <address id="n0hly"></address>
          3.