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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        液封直拉富銦InP中銦夾雜的縱向和橫向分布
        
						
        王昊宇; 楊瑞霞; 孫聶楓; 王書(shū)杰; 田樹(shù)盛; 陳春梅; 孫士文; 劉惠生; 孫同年  河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院; 天津300401; 中國電子科技集團公司第十三研究所; 石家莊050051; 專(zhuān)用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗室; 石家莊050051; 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所; 上海200083
        

					
        
					
        摘要：采用光學(xué)顯微鏡與紅外透射顯微鏡相結合的方法,研究了磷化銦(InP)晶片中銦夾雜的形貌,通過(guò)比較含有銦夾雜的晶體與晶片,總結了銦夾雜在富銦磷化銦中的縱向與橫向分布行為,并分析了熔體組分配比度、固液界面形貌以及溫度梯度對銦夾雜分布行為的影響。在含有銦夾雜的單晶片中發(fā)現銦夾雜的一種特殊環(huán)形分布行為,對比和它相鄰的晶片,發(fā)現這種環(huán)形分布呈現出沿生長(cháng)方向直徑逐漸變小的趨勢,初步分析與固液界面呈微凸的形貌有關(guān)。在這種特殊分布中,發(fā)現部分銦夾雜呈四方對稱(chēng)分布。結合磷化銦的晶體結構,分析這種對稱(chēng)分布與固液界面處的{111}晶面有關(guān)。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系微納電子技術(shù)雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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