<sub id="n0hly"></sub>
<sub id="n0hly"></sub>

      <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>

      3. <address id="n0hly"></address>
      3. 
	
        

		
		

	
        
				
			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        不同基底對退火制備N(xiāo)i納米島掩模形貌的影響
        
						
        薛俊俊; 蔡青; 張?；? 葛梅; 陳將偉  南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
        

					
        
					
        摘要：目前,刻蝕自組裝在GaN薄膜上Ni納米島的掩模的方法是制備GaN納米柱陣列常用手段。但是,這將對后續制備出的納米柱產(chǎn)生Ni污染。除此之外,直接將GaN系的材料暴露在高溫下進(jìn)行Ni納米島掩模的制備,會(huì )對GaN材料表面產(chǎn)生一定的熱腐蝕損傷。因此,以GaN、SiO2、Al2O3和SixNy分別為基底,對退火自組裝在這4種基底上的Ni納米島形貌進(jìn)行了較為系統的研究。發(fā)現850℃的退火溫度下,Al2O3基底上Ni薄膜形成的納米島的形貌最為規整,為最優(yōu)化襯底。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系功能材料信息雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


亚欧成人中文字幕一区-日韩影音先锋AV乱伦小说-成人精品久久一区二区-成人美女视频在线观看

        <sub id="n0hly"></sub>
        <sub id="n0hly"></sub>
        

          <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>
          3. 

          <address id="n0hly"></address>
          3.