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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        不同基底對等離子體射流放電及薄膜特性的影響
        
						
        王瑞雪; 張鵬浩; 徐暉; 章程; 李挺; 邵濤  中國科學(xué)院電工研究所電力電子與電氣驅動(dòng)重點(diǎn)實(shí)驗室; 北京100190; 鄭州大學(xué)電氣工程學(xué)院; 鄭州450001; 北京航空航天大學(xué)能源與動(dòng)力工程學(xué)院; 北京100191
        

					
        
					
        摘要：等離子體材料表面處理包括等離子體–基底相互作用過(guò)程,絕緣或金屬基底的存在會(huì )改變等離子體放電和化學(xué)氣相沉積過(guò)程,進(jìn)而影響沉積薄膜特性。為此重點(diǎn)研究大氣壓等離子體射流薄膜沉積體系中,等離子體射流激發(fā)態(tài)粒子和基態(tài)OH濃度發(fā)展規律,并進(jìn)一步將等離子體射流放電過(guò)程與薄膜特性建立聯(lián)系。結果表明:薄膜沉積過(guò)程中,檢測到Ar、N2以及OH相關(guān)譜線(xiàn),有機玻璃(PMMA)基底時(shí)譜線(xiàn)強度略高;對于OH自由基的相對密度分布,當基底為PMMA時(shí)主要分布在管口附近,而當基底為銅(Cu)時(shí)分布在管口與基底間的整個(gè)空間區域,并且TEOS的含量增加使得其分解形成的中間產(chǎn)物增加,進(jìn)而增加薄膜沉積速率。此外,不同的材料會(huì )造成靠近基底處的場(chǎng)強有較大差異,如PMMA基底處場(chǎng)強基本維持不變,而Cu基底處場(chǎng)強有所增加。通過(guò)對薄膜成分分析和對比,發(fā)現PMMA表面沉積的薄膜氧化程度更高且所含的雜質(zhì)較少。通過(guò)對不同基底上沉積薄膜以及沉積過(guò)程的對比和診斷,對于理解并解決在應用中的相關(guān)問(wèn)題具有重大意義。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系高電壓技術(shù)雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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