α粒子和Kr+對CaCeTi2O7的輻照損傷的Monte Carlo模擬
摘要:為研究高能粒子輻照條件下CaCeTi2O7基體的微觀(guān)損傷機制,利用蒙特卡羅軟件包SRIM模擬α粒子和Kr+在0.1~10.0MeV入射能量范圍內,CaCeTi2O7的阻止本領(lǐng)、能量損失、平均投影射程和空位分布。結果表明,當不同能量的α粒子入射時(shí),平均投影射程為0.43~40.32μm,平均一個(gè)α粒子在單位納米深度產(chǎn)生的空位數約為10~23個(gè),CaCeTi2O7以電子阻止本領(lǐng)為主,能量主要以電離能損的方式損耗;當不同能量的Kr+入射時(shí),平均投影射程為0.04~2.76μm,平均一個(gè)Kr+在單位納米深度產(chǎn)生的空位數約為106~2488個(gè),隨著(zhù)入射粒子能量的增加核阻止本領(lǐng)逐漸減小,電子阻止本領(lǐng)逐漸增加,能量損失方式由聲子能損向電離能損方式轉變。入射角度由0°增加至75°時(shí),α粒子入射造成的損傷區深度由14.5μm減小至4.0μm,Kr+入射造成的損傷區深度由1.57μm減小至0.2μm。
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