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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        α粒子和Kr+對CaCeTi2O7的輻照損傷的Monte Carlo模擬
        
						
        李偉民; 董發(fā)勤; 盧喜瑞; 李文周; 邊亮; 宋功保; 丁藝; 屈爽  中國工程物理研究院激光聚變研究中心; 四川綿陽(yáng)621900; 西南科技大學(xué)核廢物與環(huán)境安全國防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗室; 四川綿陽(yáng)621010; 西南科技大學(xué)固體廢物處理與資源化教育部重點(diǎn)實(shí)驗室; 四川綿陽(yáng)621010; 中核蘭州鈾濃縮有限公司; 甘肅蘭州730065; 河北地質(zhì)大學(xué); 河北石家莊050000
        

					
        
					
        摘要：為研究高能粒子輻照條件下CaCeTi2O7基體的微觀(guān)損傷機制，利用蒙特卡羅軟件包SRIM模擬α粒子和Kr+在0.1~10.0MeV入射能量范圍內，CaCeTi2O7的阻止本領(lǐng)、能量損失、平均投影射程和空位分布。結果表明，當不同能量的α粒子入射時(shí)，平均投影射程為0.43～40.32μm，平均一個(gè)α粒子在單位納米深度產(chǎn)生的空位數約為10～23個(gè)，CaCeTi2O7以電子阻止本領(lǐng)為主，能量主要以電離能損的方式損耗；當不同能量的Kr+入射時(shí)，平均投影射程為0.04～2.76μm，平均一個(gè)Kr+在單位納米深度產(chǎn)生的空位數約為106～2488個(gè)，隨著(zhù)入射粒子能量的增加核阻止本領(lǐng)逐漸減小，電子阻止本領(lǐng)逐漸增加，能量損失方式由聲子能損向電離能損方式轉變。入射角度由0°增加至75°時(shí)，α粒子入射造成的損傷區深度由14.5μm減小至4.0μm，Kr+入射造成的損傷區深度由1.57μm減小至0.2μm。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系核化學(xué)與放射化學(xué)雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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