摘要：對nBn勢壘型InAsSb/AlAsSb中波紅外探測器材料進(jìn)行了系統深入的理論研究。通過(guò)理論計算勢壘層的厚度、組分和摻雜等結構參數對器件能帶結構、暗電流和光電流的影響,分析了勢壘性的溫度特性、器件輸運特性,揭示了nBn勢壘型中波紅外探測器高溫工作的機制,探索降低器件暗電流的方法。完成nBn勢壘型銻化物材料系統的優(yōu)化設計,為高溫工作的銻化物中波紅外探測器研制提供理論基礎和支持。
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