異質(zhì)外延碲鎘汞薄膜的位錯抑制技術(shù)
摘要：本文簡(jiǎn)述了MBE異質(zhì)外延碲鎘汞薄膜位錯形成機理、位錯在外延層中的演化過(guò)程以及位錯抑制理論,總結了國內外CdTe緩沖層的位錯抑制技術(shù)、HgCdTe薄膜的位錯抑制技術(shù),分析了熱循環(huán)退火技術(shù)各個(gè)要素與位錯密度變化之間的關(guān)系。
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