含液晶缺陷層的Double-period結構缺陷模的電控可調特性
摘要：采用傳輸矩陣法研究含一向列相液晶缺陷層的一維Double-period第五代準周期結構缺陷模的電控可調特性.計算外加電壓與向列相液晶有效折射率的變化關(guān)系,數值模擬缺陷模波長(cháng)的大小與外加電壓的變化關(guān)系以及介質(zhì)層中缺陷模波長(cháng)的光場(chǎng)分布.結果表明：隨外加電壓的增大,缺陷模波長(cháng)的大小向短波方向移動(dòng).介質(zhì)層中缺陷模波長(cháng)的光場(chǎng)分布呈現出局域現象,并且光場(chǎng)分布主要集中在缺陷層.
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