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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)綜述及展望
        
						
        盛況; 董澤政; 吳新科  浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院; 浙江省杭州市310027
        

					
        
					
        摘要：碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導通電阻低,開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰:傳統封裝雜散電感參數較大,難以匹配器件的快速開(kāi)關(guān)特性;器件高溫工作時(shí),封裝可靠性降低;以及模塊的多功能集成封裝與高功率密度需求等。針對上述挑戰,論文分析傳統封裝結構中雜散電感參數大的根本原因,并對國內外的現有低寄生電感封裝方式進(jìn)行分類(lèi)對比;羅列比較現有提高封裝高溫可靠性的材料和制作工藝,如芯片連接材料與技術(shù);最后,討論現有多功能集成封裝方法,介紹多種先進(jìn)散熱方法。在前面綜述的基礎上,結合電力電子的發(fā)展趨勢,對SiC器件封裝技術(shù)進(jìn)行歸納和展望。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系中國電機工程學(xué)報雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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