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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        不同雪崩沖擊模式下SiC MOSFET的失效機理
        
						
        李輝; 鐘懿; 王少剛; 于仁澤; 陳顯平; 姚然; 王曉; 龍海洋  輸配電裝備及系統安全與新技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗室; 光電技術(shù)及系統教育部重點(diǎn)實(shí)驗室(重慶大學(xué)); 重慶市沙坪壩區400044
        

					
        
					
        摘要：在高開(kāi)關(guān)速度di/dt和寄生電感的耦合下,SiC MOSFET器件極易進(jìn)入雪崩工作模式。針對現有單一實(shí)驗失效分析難以揭示不同雪崩沖擊模式可能引起不同失效模式的問(wèn)題,提出在單次和重復雪崩沖擊下SiC MOSFET器件失效機理的實(shí)驗與仿真研究。首先,搭建SiC MOSFET非鉗位電感(unclamped inductive switching,UIS)雪崩實(shí)驗平臺及元胞級仿真模型。其次,基于單次脈沖雪崩沖擊實(shí)驗建立SiC MOSFET對應失效模型,獲取單次脈沖下失效演化中元胞電熱分布規律。最后,基于重復雪崩沖擊失效實(shí)驗,建立SiC MOSFET對應失效演化模型,仿真性能退化特征參數,獲取重復雪崩沖擊下失效演化過(guò)程的電場(chǎng)分布規律。實(shí)驗和仿真表明,單次脈沖雪崩沖擊下寄生BJT閂鎖造成SiC MOSFET器件失效;而氧化層捕獲空穴形成氧化層固定電荷會(huì )導致器件后期閾值電壓降低,引起重復雪崩沖擊下器件失效。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系中國電機工程學(xué)報雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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