<sub id="n0hly"></sub>
<sub id="n0hly"></sub>

      <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>

      3. <address id="n0hly"></address>
      3. 
	
        

		
		

	
        
				
			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        新型研磨墊對單晶氧化鎵研磨的實(shí)驗研究
        
						
        龔凱; 周海; 黃傳錦; 韋嘉輝; 王晨宇  鹽城工學(xué)院機械工程學(xué)院; 鹽城224051; 江蘇大學(xué)機械工程學(xué)院; 鎮江212013; 江蘇吉星新材料有限公司; 鎮江212013
        

					
        
					
        摘要：為抑制氧化鎵晶片在研磨過(guò)程中的解理現象,通過(guò)NAKAMURA的方法,重新設計、研制一種黏彈性固著(zhù)磨料新型研磨墊對氧化鎵晶片進(jìn)行研磨實(shí)驗研究,對比分析其與傳統鑄鐵研磨盤(pán)對單晶氧化鎵研磨的材料去除率和表面質(zhì)量的影響規律,結果表明:在同一研磨參數下,采用鑄鐵盤(pán)研磨時(shí),晶片材料去除率較高,為358nm/min,研磨后晶片表面粗糙度Ra由初始的269nm降低到117nm,降幅僅為56.5%;而采用新型研磨墊研磨時(shí),其材料去除率雖較低,為263nm/min,但研磨后晶片表面粗糙度Ra卻降低至58nm,降幅達到78.4%,晶片表面質(zhì)量得到明顯提高,為后續氧化鎵晶片的拋光奠定了良好的基礎,因而新型研磨墊更適合對氧化鎵進(jìn)行研磨。同時(shí),也為氧化鎵晶片研磨提供了參考依據。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系現代制造工程雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


亚欧成人中文字幕一区-日韩影音先锋AV乱伦小说-成人精品久久一区二区-成人美女视频在线观看

        <sub id="n0hly"></sub>
        <sub id="n0hly"></sub>
        

          <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>
          3. 

          <address id="n0hly"></address>
          3.