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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        應用于MOEMS集成的TSV技術(shù)研究
        
						
        胡正高; 蓋蔚; 徐高衛; 羅樂(lè )  中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所; 傳感技術(shù)聯(lián)合國家重點(diǎn)實(shí)驗室; 上海200050; 中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所; 信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗室; 上海200050; 中國科學(xué)院大學(xué); 北京100049
        

					
        
					
        摘要：硅通孔(TSV)通過(guò)縮短互連長(cháng)度可實(shí)現低延遲、低功耗等目的。對應用于微光機電系統(MOEMS)集成的TSV工藝進(jìn)行了研究,通過(guò)ICP-DRIE參數優(yōu)化獲得了陡直TSV通孔;通過(guò)金-金鍵合及bottom-up法,實(shí)現了TSV的無(wú)缺陷填充;對填充后的TSV進(jìn)行電學(xué)表征,測試結果表明,單個(gè)TSV的電阻平均值為0.199Ω、相鄰兩個(gè)TSV的電容在無(wú)偏壓時(shí)為170.45fF、TSV的漏電流在100V時(shí)為9.43pA,具有良好的電學(xué)特性。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系傳感技術(shù)學(xué)報雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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