CuBi2O4光陰極的旋涂工藝及光電化學(xué)性能研究
摘要:采用旋涂法在導電玻璃(FTO)上制備了CuBi2O4薄膜。通過(guò)調控旋涂的次數,得到具有較優(yōu)光電化學(xué)性能的CuBi2O4薄膜。同時(shí)研究了多次旋涂過(guò)程中旋涂轉速、烘干溫度對制備的薄膜的均勻性的影響。實(shí)驗結果表明:采用3 000 r/min轉速,300℃的烘干溫度可以得到均勻的薄膜。旋涂層數為4層時(shí)可以得到最優(yōu)的光電催化性能,較旋涂3次的薄膜性能提升72%。
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