1.3~1.55μm光通信用VCSEL的研究進(jìn)展 毛容偉; 左玉華; 成步文; 于金中; 王啟明 中國科學(xué)院半導體研究所; 集成光電子國家重點(diǎn)實(shí)驗室; 北京; 100083 摘要:本文從有源區材料的選擇,有源區結構的優(yōu)化,布拉格反射鏡的設計,器件結構的優(yōu)化等方面對1.3~1.55μm 光通訊用VCSEL的研究進(jìn)展進(jìn)行綜述,并對其應用前景進(jìn)行展望. 注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系光子技術(shù)雜志社
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