<sub id="n0hly"></sub>
<sub id="n0hly"></sub>

      <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>
    1. <address id="n0hly"></address>
      1. 加急見(jiàn)刊

        雙層石墨烯的化學(xué)氣相沉積制備研究綜述

        張學(xué)薇; 鄒振興; 趙沛; 王宏濤 浙江大學(xué)應用力學(xué)研究所; 杭州310027; 浙江大學(xué)交叉力學(xué)中心; 杭州310027

        摘要:石墨烯具有很多優(yōu)異的性質(zhì),是非常理想的硅晶體替代材料,有可能徹底改變現在人們的生活,引發(fā)新一輪的科技革命。但是單層石墨烯是一種零帶隙的半金屬,在半導體電子器件方面受到很大局限性。AB堆垛雙層石墨烯的帶隙可由外部垂直電場(chǎng)打開(kāi),既可用于半導體電子器件領(lǐng)域,又可以大大降低薄膜電阻,用于透明導電薄膜。盡管石墨烯制備方法很多,但受限于成本、質(zhì)量、規?;?化學(xué)氣相沉積法是制備大面積、高質(zhì)量雙層石墨烯最主要的手段。綜述了利用化學(xué)氣相沉積法制備雙層石墨烯的一系列工作,首先介紹單雙層石墨烯的生長(cháng)機理,主要根據催化劑類(lèi)型對鎳、銅、銅鎳合金上石墨烯形核和生長(cháng)作出解釋;然后從碳源、生長(cháng)氛圍、催化劑、基底結構等對雙層石墨烯的均勻性、晶疇尺寸和堆垛形式等方面進(jìn)行分析;最后,總結以上化學(xué)氣相沉積法制備雙層石墨烯的工作,并對該領(lǐng)域的發(fā)展進(jìn)行展望。

        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系表面技術(shù)雜志社

        亚欧成人中文字幕一区-日韩影音先锋AV乱伦小说-成人精品久久一区二区-成人美女视频在线观看
        <sub id="n0hly"></sub>
        <sub id="n0hly"></sub>

          <small id="n0hly"><progress id="n0hly"></progress></small>
        1. <address id="n0hly"></address>