CTAB作用下CuInS2納米材料的溶劑熱法制備研究
摘要:近年來(lái),三元系銅銦硫CuInS2(CIS2)光伏材料以其高吸收系數(可達10^-5 cm^-1)、較高的理論開(kāi)路電壓值和較好的環(huán)境兼容性,成為太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本文采用溶劑熱方法,以無(wú)水乙醇為溶劑,在180℃、32 h條件下合成黃銅礦結構CIS2納米粉體基礎上,研究表面活性劑CTAB對CIS2合成的影響,結合SEM、TEM等測試分析對CTAB的作用機理進(jìn)行探討。
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