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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        半導體器件輻射效應數值模擬技術(shù)研究現狀與發(fā)展趨勢
        
						
        陳偉; 丁李利; 郭曉強  西北核技術(shù)研究所; 西安710024; 強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應國家重點(diǎn)實(shí)驗室; 西安710024
        

					
        
					
        摘要：半導體器件輻射效應數值模擬技術(shù)主要研究輻射與材料相互作用的粒子輸運模擬、器件內部輻射感生載流子漂移擴散的器件級模擬及器件性能退化對電路功能影響的電路級模擬等,是抗輻射加固設計和抗輻射性能評估中的關(guān)鍵技術(shù)。隨著(zhù)先進(jìn)微電子技術(shù)的快速發(fā)展,新材料、新結構和新器件的應用為輻射效應建模與數值仿真帶來(lái)了新挑戰。輻射效應數值模擬涉及材料學(xué)、電子學(xué)和核科學(xué)的交叉領(lǐng)域,技術(shù)難度大,建模和仿真比較復雜,一些瓶頸問(wèn)題尚未完全解決。圍繞粒子輸運模擬、器件級輻射效應數值模擬和電路級輻射效應數值模擬3個(gè)方面,梳理急需解決的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題,介紹半導體器件輻射效應數值模擬技術(shù)的發(fā)展趨勢。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系現代應用物理雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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