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			加急見(jiàn)刊
		
        
		

		
		
        
			
        
				
				
				
        
					
					
        
						
						
        仿真大氣中子束流產(chǎn)生靶及引出方向的初步研究
        
						
        張利英; 倪偉俊; 敬罕濤; 王相綦  中國科學(xué)院高能物理研究所; 北京100049; 東莞中子科學(xué)中心; 東莞523803; 強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應國家重點(diǎn)實(shí)驗室; 西安710024; 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家同步輻射實(shí)驗室; 合肥230029; 廣西師范大學(xué); 桂林541004
        

					
        
					
        摘要：利用FLUKA程序模擬計算了高能質(zhì)子束打靶產(chǎn)生仿真大氣中子束流時(shí),靶材料、靶結構及入射質(zhì)子能量對中子能譜的影響。結果表明,選擇重金屬鉛或鎢作為散裂靶材,不僅中子產(chǎn)額較大,而且當質(zhì)子能量大于3 GeV且在引出方向與質(zhì)子入射方向夾角為30°時(shí),中子能譜更接近標準大氣中子能譜。對中國散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)第1靶站產(chǎn)生的白光中子束流能譜計算表明,該能譜適于開(kāi)展仿真大氣中子在半導體存儲器件中引起的軟錯誤試驗研究;同時(shí),就能譜形狀而言,未來(lái)CSNS第2靶站在引出方向與質(zhì)子入射方向夾角為30°和15°的兩條白光中子束線(xiàn),更適合開(kāi)展與大氣中子束流相關(guān)的存儲芯片和高集成電路的單粒子效應研究。
        
					
        注: 保護知識產(chǎn)權,如需閱讀全文請聯(lián)系現代應用物理雜志社
        
				
        
				

			
        
		
        

		
		

	
        

	
	
	
	
	
	
	
	


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